Skip Navigation Links
Strona główna/Home
Rada Naukowa/Scientific Council
Redakcja/Editorial office
Dla Autorów/For Authors
Recenzenci/Reviews
Wyszukaj/Search
Archiwum/Archives
Kontakt/Contact
Prenumerata/Subscription

Jesteś gościem nr:
532407
   

Szczegóły artykułu:

Wydawnictwo: Academic Journals Poznan University of Technology

Numer: 95/2018 Str: 67


Autorzy: Kamil Bargieł, Damian Bisewski


Tytuł: OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWEGO MAKROMODELU TRANZYSTORA SiC-JFET


Streszczenie: W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.


Słowa kluczowe: JFET, makromodel, węglik krzemu.


[PDF]